早在2019年，代工厂就已经开始了有限度地将极紫外(EUV)光刻光刻技术应用于大批量的芯片制造(HVM)。然而影响EUV工艺普及的主要因素之一，就是光掩模(Pellicles)材料的缺乏，结果限制了EUV工艺的产能扩张。好消息是，近日有消息称，这种情况终于得到了改善，且有望在未来几年迎来进一步的发展。
近年来，阿斯麦(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻机已经取得了长足进步，改善了光源性能、可用时间、以及生产力。
遗憾的是，EUV掩膜部分仍面临量产前的巨大挑战。且除了台积电，三星半导体也被迫寻找在供应缺乏下的EUV替代制造工艺。
芯片制造中使用的掩膜材料(通常为6×6英寸)，能够将可能落于基材表面上的颗粒隔离开，从而对芯片生产线上的晶圆提供额外的保护。
由于每套EUV标线片就需动用30万美元的成本，因此降低与收益率相关的风险也尤为重要。
早在2019年，ASML就已经突出了首款EVU掩膜，并将技术授权给了三井化学。后者计划于2021年2季度开始量产销售，且ASML方面也未停止持续改进。
不过SemiconductorEngineering指出，迄今为止，只有ASML推出了在商业上切实可行的EUV掩膜(基于50nm厚度的多晶硅)。
早在2016年，该公司就展示了在模拟的175W光源上实现的78%透射率，且当前已在出售效率高达88%的新一代掩膜。相信不久后，三井化学就会大量供应此类掩膜。
最后，AnandTech提到ASML已经展示了透射率高达90.6%的原型。其不均匀性控制在了0.2%以内，且能够在400W光源下将反射率控制在0.005%以下。